1 ：きのこ記者φ ★：2007/11/06(火) 22:54:14 ID:???
東芝は11月6日、次世代メモリ・MRAMをGビット級に大容量化するための
要素技術となる新型素子を開発したと発表した。

MRAMの記憶素子となるMTJ（Magnetic Tunneling Junction）素子を、
微細化に向く「スピン注入磁化反転技術」と、素子サイズを大幅に削減できる垂直磁化方式で形成し、
安定動作を確認した。垂直磁化方式によるMTJ素子は世界初という。

スピン注入技術と垂直磁化方式のメリットをいかし、MRAMをGビット級に大容量化するのに
道を開く重要な成果だとしている。

今後、よりスピン注入に適した材料の開発や、集積に必要なばらつき低減技術などの開発を続け、
数年以内に各要素技術を統合した基盤技術として確立するとしている。

ソース
http://www.itmedia.co.jp/news/articles/0711/06/news059.html
関連スレ
【頑張れ国産】エルピーダ、ルネサス、東芝等国内半導体産業総合スレッドPart16 [07/11/01]
http://news21.2ch.net/test/read.cgi/bizplus/1193926988/

2：名刺は切らしておりまして：2007/11/06(火) 22:54:40 ID:kfWlrfU8
へぇ

3 ：名刺は切らしておりまして：2007/11/06(火) 22:57:32 ID:hrRyafEW
何がなんだかさっぱりわかる

4 ：名刺は切らしておりまして：2007/11/06(火) 22:58:25 ID:TNzlmyeF
MRAMはおれの夢

5 ：名刺は切らしておりまして：2007/11/06(火) 22:58:38 ID:niRyRz3n
これって凄いの？

6 ：名刺は切らしておりまして：2007/11/06(火) 22:59:14 ID:6MVSvHu1
パソコンのメモリて４GBが限界じゃないのかね

7 ：名刺は切らしておりまして：2007/11/06(火) 23:04:03 ID:9ZTzlWWV
20年前、NECのPC98全盛の頃、ある講演でNECの総支配人とやらが、一人の
の生涯メモリは1GBあれば十分と言ってた。
オレのHDDは今1TBだが十分とは言えない。5割はエロ動画だが・・。
メモリ要求は果てしないのか？

8 ：名刺は切らしておりまして：2007/11/06(火) 23:05:12 ID:5q3Rnz8U
次はPRAMなのかMRAMなのかFRAMなのか
どれなんすか

9 ：名刺は切らしておりまして：2007/11/06(火) 23:09:05 ID:wtAuxJXw

ＩＳＤＮはコンテンツもないのになぜこんな大容量なものを作るのか？
とさんざん馬鹿にされてきた。今では、エロ動画が・・・


10 ：名刺は切らしておりまして：2007/11/06(火) 23:32:27 ID:+q2rOVny
>>6
Macなんかで16GB積めるのもあるわけだが。

11 ：名刺は切らしておりまして：2007/11/06(火) 23:40:00 ID:vUVHP+en
>>6
いや実際に使えるのは 15.6MB が限界だよ。

12 ：名刺は切らしておりまして：2007/11/06(火) 23:41:24 ID:3GtpjJEb
> 数年以内に各要素技術を統合した基盤技術として確立
商品化に漕ぎ着けるのは10年後だろうな・・・('A`)

13 ：名刺は切らしておりまして：2007/11/06(火) 23:56:17 ID:vlRrqrNs
>>8
何に使うかによるけれど、車載用途だったら温度保証範囲が
広いヤツが勝つ。この点でPRAMはムリ

マイコンのメモリを全部まかなうならキャッシュ用途がネックで
書き換え回数が10の16乗はいる。この点でFRAMがアウト

RF用途だと電波でしかエネルギーをもらえないので消費電流が
多いと問題外。これはMRAMが苦手な点。

iPodみたいな大容量向けソリッドステートディスクはもちろん
ビット単価が100円/1Gくらいでないとだめ。PRAM/MRAM/FRAM全滅
これはFlashMemoryの独壇場。

こんな感じ

14 ：名刺は切らしておりまして：2007/11/07(水) 00:02:22 ID:IS/I00de
> 　MRAMは、アドレスアクセスタイムが10ns台、サイクルタイムが20ns台とDRAMの5倍程度で
> SRAM並み高速な読み書きが可能である。
>
> 　また、フラッシュメモリの10分の1程度の低消費電力、高集積性が可能などの長所がある。
>
> 　このため、FeRAM(強誘電体メモリ)、OUM(カルコゲニド合金による相変化記録メモリ)ととも
> に、SRAM(高速アクセス性)、DRAM(高集積性)、フラッシュメモリ(不揮発性)のすべての機能
> をカバーする「ユニバーサルメモリ」としての応用が期待されている。

15 ：名刺は切らしておりまして：2007/11/07(水) 00:07:00 ID:3d7MCEvg
>>3
分かるんならMRAMとPRAMとFRAMの違いについて説明してくれ。
さっぱりわからん。

16 ：名刺は切らしておりまして：2007/11/07(水) 00:08:20 ID:jqk5FuS3
実用化するころには
かの国にパクられてるだろ

17 ：名刺は切らしておりまして：2007/11/07(水) 00:14:24 ID:4HTiuj52
スピン注入なんたらで改善してるとは言え、消費電力と高集積性がMRAMの欠点であることは変わりないんだろ。
どれも短所があるとして、どこまで改善できるかじゃないの

18 ：名刺は切らしておりまして：2007/11/07(水) 00:59:35 ID:FP+wU8p5
>>5
不揮発でアクセス速度が速くて書き換え回数に制限が無い。
起動待ち時間のないPCなんてのも出来る。
これが出来たらクズみたいなコンテンツや偏向報道を垂れ流してる
従来テレビはあぼんしかねない。
>>15
とにかく勉強せい。
>>17
スピン注入だと消費電流は大幅に減らせるはずだよ。微細化するとさらに減る。

誤解を恐れずざっくり言うとスピン注入は磁気そのものを注入するようなもの。
従来は配線に電流を流して周辺磁界で記録していた。ここが根本的に違う。

国は数百億かけてもいいから東芝、日立、NECを応援すべし。
ただ朝鮮スパイ等を徹底的に防ぐ必要がある。
大学には加担させてはならない。外人スパイだらけで無防備すぎ。


19 ：名刺は切らしておりまして：2007/11/07(水) 01:13:47 ID:ZZNbAwqT
>>18

　 　 　/~~/
　　　 /　 /　　 ハ゜カ
　　　/ ∩∧ ∧
　　 /　.|< ｀Д´>＿ 　もう遅いニダ！
　　/／ |　　　ヽ／
　　"￣￣￣"∪


20 ：名刺は切らしておりまして：2007/11/07(水) 01:14:54 ID:DhOKCN2L
>>18
スピン使っても、さらにもう一桁は消費電流下げないといけない。


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